目 錄

第1章 TCAD仿真概述 1
1.1 TCAD 1
1.1.1 半導(dǎo)體技術(shù)概況 1
1.1.2 TCAD仿真工具概況 2
1.1.3 TCAD仿真工具發(fā)展概況 3
1.2 Cogenda WebTCAD 4
1.2.1 珂晶達(dá)（Cogenda）公司簡(jiǎn)介 4
1.2.2 Cogenda WebTCAD概況 5
第2章 半導(dǎo)體數(shù)值仿真基礎(chǔ) 6
2.1 有限體積法 6
2.1.1 有限體積法基本原理 6
2.1.2 有限體積法基本思路 7
2.2 網(wǎng)格劃分 8
2.2.1 網(wǎng)格劃分簡(jiǎn)介 8
2.2.2 網(wǎng)格劃分分類 9
2.2.3 3D網(wǎng)格劃分 10
2.2.4 網(wǎng)格無(wú)關(guān)性 11
2.3 TCAD物理模型 11
2.3.1 漂移擴(kuò)散模型 11
2.3.2 改進(jìn)的漂移擴(kuò)散模型 12
2.3.3 能量平衡模型 13
2.3.4 密度梯度模型 14
2.3.5 帶狀結(jié)構(gòu)模型 15
2.4 邊界條件 17
2.5 求解 18
第3章 半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ) 20
3.1 半導(dǎo)體工藝概況 20
3.2 單項(xiàng)制備工藝 21
3.2.1 擴(kuò)散 21
3.2.2 離子注入 25
3.2.3 氧化 28
3.2.4 光刻 31
3.2.5 刻蝕 38
3.2.6 沉積 41
第4章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 46
4.1 能帶理論與場(chǎng)效應(yīng)原理 46
4.1.1 能帶理論 46
4.1.2 場(chǎng)效應(yīng)原理 47
4.2 常用半導(dǎo)體器件 48
4.2.1 PN結(jié) 48
4.2.2 PN結(jié)二極管 54
4.2.3 雙極型晶體管（BJT） 58
4.2.4 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET） 63
第5章 WebTCAD二維工藝仿真 68
5.1 WebTCAD二維工藝仿真介紹 68
5.1.1 Cogenda WebTCAD二維工藝仿真介紹 69
5.1.2 Genes仿真器介紹 71
5.2 WebTCAD單項(xiàng)工藝仿真 71
5.2.1 離子注入 71
5.2.2 擴(kuò)散 73
5.2.3 沉積 75
5.2.4 光刻 77
5.2.5 刻蝕 79
5.2.6 外延 82
5.2.7 淺槽隔離（STI） 84
第6章 WebTCAD二維器件仿真 86
6.1 二維器件仿真介紹 86
6.2 Cogenda WebTCAD二維器件仿真介紹 87
6.2.1 Genius仿真器介紹 87
6.2.2 器件結(jié)構(gòu)及輸入/輸出 87
6.2.3 輸出和探測(cè) 94
6.3 WebTCAD二維器件仿真流程 96
6.4 WebTCAD二維器件仿真結(jié)果分析 109
6.4.1 直流特性 110
6.4.2 仿真結(jié)果查看 110
第7章 WebTCAD仿真實(shí)例 121
7.1 NPN型BJT仿真 121
7.2 部分耗盡型SOI P-MOSFET仿真 171
參考文獻(xiàn) 222