本書內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場(chǎng)現(xiàn)狀以及針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對(duì)GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)、特性及測(cè)試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件的測(cè)試

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)。全書分為三個(gè)部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識(shí)以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場(chǎng)效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長(zhǎng)機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長(zhǎng)所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書力圖全面深入地介紹太陽(yáng)能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實(shí)踐指導(dǎo)的權(quán)威之作。本書詳細(xì)闡釋了太陽(yáng)能與太陽(yáng)能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽(yáng)能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽(yáng)能電池的測(cè)試原理與分析方法，重點(diǎn)介紹了太陽(yáng)能電池性能提升的前沿技術(shù)，進(jìn)一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。

本書為《新興半導(dǎo)體》分冊(cè)。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費(fèi)類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊(cè)圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料